特許
J-GLOBAL ID：200903064859897642
薄膜トランジスタ駆動型イメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242331
出願日： 1995年03月01日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【目的】 スイッチとして機能するTFTの特性の変化にかかわらず、最適な駆動条件下でTFTを駆動させ、電荷を常時正確に転送し、画像の高画質化を実現する薄膜トランジスタ駆動型イメ-ジセンサを得る。【構成】 複数の受光素子と、互に同一材料で形成されライン状に配置された複数のTFTスイッチから成るTFTアレイと、前記TFTアレイの全TFTスイッチを一括してオン・オフさせるゲ-トドライバを具備し、前記ゲ-トドライバで前記TFTスイッチを制御し前記受光素子で発生した電荷を転送するTFT駆動型イメ-ジセンサにおいて、前記TFTアレイのライン上に、各TFTスイッチの特性の変化を検出する専用のモニタ-TFTと、前記モニタ-TFTにおける検出結果によってゲ-ト電圧を補正するゲ-ト電圧補正ユニットと、を有し、前記ゲ-トドライバは、前記ゲ-ト電圧補正ユニットで補正された電圧値を前記TFTアレイの各TFTスイッチのゲ-トに印加する。
請求項（抜粋）：
複数の受光素子と、互に同一材料で形成されライン状に配置された複数の薄膜トランジスタ(TFT)スイッチから成るTFTアレイと、前記TFTアレイの全TFTスイッチを一括してオン・オフさせるゲ-トドライバとを具備し、前記ゲ-トドライバで前記TFTスイッチを制御し前記受光素子で発生した電荷を転送するTFT駆動型イメ-ジセンサにおいて、前記TFTアレイのライン上に、各TFTスイッチの特性の変化を検出する専用のモニタ-TFTと、前記モニタ-TFTにおける検出結果によってゲ-ト電圧を補正するゲ-ト電圧補正ユニットと、を有し、前記ゲートドライバは、前記ゲ-ト電圧補正ユニットで補正された電圧値を前記TFTアレイの各TFTスイッチのゲ-トに印加することを特徴とする薄膜トランジスタ駆動型イメ-ジセンサ。
IPC (4件)：
H04N 1/028
, H01L 29/786
, H04N 1/19
, H04N 5/335
H04N 1/028 A
, H04N 5/335 E
, H01L 29/78 612 B
, H04N 1/04 103 E
