半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077806
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267287
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】ヘテロ構造を有する化合物半導体素子の異方性(選択)エッチングをウエットエッチングで実現し、ドライエッチング並の高均一・高制御可能な異方性加工を可能にした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウエットエッチングで異方性エッチングを実現するためには、エッチング液の組成と共にエッチング温度が重要な要件となる。エッチング液を、アスコルビン酸を少なくとも含む有機酸と過酸化水素と水及び例えばアンモニア等のpH調整剤とで調製し、エッチング温度を特定温度に制御して行う。AlGaAsをエッチング停止層とし、GaAsを選択的に異方性エッチングする場合には、エッチング温度を10°C未満に制御すれば、従来のドライエッチングと同程度の寸法制御性に優れた異方性エッチングが得られ、また、温度を10°C以上に制御するだけで等方性エッチングもできるため、複雑な形状の加工も温度制御するだけで容易に形成可能である。

請求項（抜粋）：

化合物半導体構造のAlGaAs層をエッチング停止層としてGaAs層を選択的に加工する工程において、少なくともアスコルビン酸を含む有機酸と、過酸化水素と、水及びpH調整剤とを含むエッチング液を用いてpHを6.0〜8.0に調整し、エッチング液温度を10°C未満に制御してエッチングする異方性ウエットエッチング工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/306 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/306 B , H01L 29/72 , H01L 29/80 H

Fターム (38件)：

5F003BA92 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BH07 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F003BP93 , 5F003BP96 , 5F003BS04 , 5F003BS08 , 5F043AA14 , 5F043AA16 , 5F043BB07 , 5F043DD30 , 5F043EE22 , 5F043EE40 , 5F043GG10 , 5F102FA00 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN05 , 5F102GN06 , 5F102GQ02 , 5F102GQ06 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102HA13 , 5F102HC16 , 5F102HC17 , 5F102HC30

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