特許
J-GLOBAL ID：200903064866933271
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160089
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 二枚のシリコンウエハを張り合わせて成るSOI 基板に関し,低温で張り合わせることにより, 基板側からの不純物の拡散によるSOI 層の汚染を防止するとともに両ウエハ間の接着強度を向上可能とすることを目的とする。【構成】 少なくとも一方のシリコンウエハ表面にSiO2層およびBPSG層を形成し, このBPSG層表面を研磨してから別のシリコンウエハと熱圧着する。両シリコンウエハ間の介在層としてBPSG層を用いることにより, 900 °C程度の低温で張り合わせることが可能となる。熱圧着する前に, 表面が研磨されたBPSG層を熱処理することにより表面の平滑性が向上し, さらに接着強度を高くめることができる。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハの研磨された一表面に熱酸化膜を形成する工程と,該熱酸化膜上に低融点ガラス層を堆積する工程と,該低融点ガラス層の表面を研磨する工程と,該研磨された低融点ガラス層を支持基板の研磨された一表面上に重ね合わせた状態で該シリコンウエハと支持基板とを熱圧着する工程と,相互に熱圧着された該シリコンウエハエハまたは該支持基板を所定の厚さになるまで研磨する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/02
, H01L 21/316
, H01L 27/12
