特許

J-GLOBAL ID：200903064869670018

ウェハ洗浄方法及びウェハ洗浄装置

発明者： 佐藤 基之 ,  冨田 寛 ,  灘原 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-021400
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231676
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 今後ウェハに多用されるRu膜によりウェハに生じるRu汚染を除いて他のウェハへのクロスコンタミネーションを抑制するウェハ洗浄方法及びウェハ洗浄装置を提供する。【解決手段】 半導体素子が作り込まれたウェハ1の裏面、ベベル部及び表面側周辺カット領域(具体的にはエッジから1〜5mm程度の領域)に汚染されているRuを処理薬液によりエッチングして除去する。処理薬液には硝酸二アンモニウムセリウム(ACN:Ammonium Cerium Nitrate)水溶液や強い酸化剤と強アルカリとの混合液などが用いられる。キャパシタ電極などに用いられるRu膜を形成する際に生じるRu汚染を除いて他のウェハへのクロスコンタミネーションを効果的に抑制することができる。

請求項（抜粋）：

ウェハ主面上にルテニウム膜を形成し、これをパターニングして形成されたキャパシタ電極を有するウェハの裏面、ベベル部及び表面側周辺カット領域に付着したルテニウムを処理薬液を用いて、化学反応によりエッチング除去する工程を備えたことを特徴とするウェハ洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 1/04 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/306

FI (7件)：

H01L 21/304 647 Z ,  B08B 1/04 ,  B08B 3/08 Z ,  B08B 3/10 Z ,  B08B 3/12 A ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/306 J

Fターム (28件)：

3B116AA03 ,  3B116AB01 ,  3B116AB34 ,  3B116AB42 ,  3B116BA08 ,  3B116BA14 ,  3B116BB03 ,  3B116BB82 ,  3B116BB83 ,  3B201AA03 ,  3B201AB01 ,  3B201AB34 ,  3B201AB42 ,  3B201BA08 ,  3B201BA14 ,  3B201BB05 ,  3B201BB82 ,  3B201BB83 ,  3B201BB92 ,  3B201CB11 ,  3B201CB22 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD07 ,  5F043DD19 ,  5F043EE08 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10