特許
J-GLOBAL ID：200903064870434760

発光サイリスタ、発光サイリスタを用いた発光装置および画像形成装置

発明者：
青野 重雄

青野 重雄 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


代理人 (1件)： 西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-380391
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180460
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】 受光感度を低下することなく発光強度を増大させた発光サイリスタを提供し、さらにこの発光サイリスタを用いた発光装置および画像形成装置を提供する。【解決手段】 本発明の第1の発光サイリスタは、基板上101に、第1半導体層102、第2半導体層103、第3半導体層104、および第4半導体層107がこの順に積層された発光サイリスタにおいて、第2半導体層103と第3半導体層104のバンドギャップを等しくし、第1半導体層102と第4半導体層104のバンドギャップをそれらより大きくする。また、第3半導体層104を基板側の第1領域105と基板反対側の第2領域106に分け、第2領域106の不純物濃度を第1領域105よりも大きくする。さらに、第4半導体層107の不純物濃度を第2領域106以上にするとともに、第2半導体層103の不純物濃度を第1領域105以上にし、第1半導体層102よりも小さく設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、N型またはP型のいずれか一方の導電型の第1半導体層、第1半導体層と反対導電型の第2半導体層、第1半導体層と同じ導電型の第3半導体層、および第1半導体層と反対導電型の第4半導体層がこの順に積層されている発光サイリスタにおいて、 前記第3半導体層のバンドギャップは、前記第2半導体層のバンドギャップと略同一であり、かつ、前記第1および前記第4半導体層のバンドギャップより狭幅であり、 前記第3半導体層は、前記基板側の第1領域と前記基板と反対側の第2領域とからなり、かつ、前記第1領域の不純物濃度は前記第2領域の不純物濃度よりも低濃度であり、 前記第2半導体層の不純物濃度は、前記第3半導体層の第1領域の不純物濃度と略同一またはそれより高濃度であり、かつ、前記第1半導体の不純物濃度より低濃度であり、 前記第4半導体層の不純物濃度は、前記第3半導体層の第2領域の不純物濃度と略同一またはそれより高濃度であることを特徴とする発光サイリスタ。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/74
FI (2件)：
H01L33/00 A ,  H01L29/74 E
Fターム (20件)：
5F005AB01 ,  5F005AD02 ,  5F005AH02 ,  5F005BA01 ,  5F005FA01 ,  5F005FA02 ,  5F005FA03 ,  5F041AA04 ,  5F041BB03 ,  5F041BB32 ,  5F041BB34 ,  5F041CA07 ,  5F041CA12 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CB22 ,  5F041CB33 ,  5F041FF16
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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