特許
J-GLOBAL ID:200903064872570105

大規模光子放射検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅村 皓 (外3名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-516279
公開番号(公開出願番号):特表2000-503170
出願日: 1997年09月29日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】本発明は2次元光子放射センサに関するものである。該センサは、検出チップを読み取りチップ上に、両チップを電気的かつ機械的に相互接続させるマイクロ-ビード ネットワークを介して混成する技術に基づいている。前記検出チップは、ixj画素の2次元構造と、基板40上のエピタキシャル活性層41と、該活性層41内に作られた1つのN/P型またはP/N型ダイオードから成る各感光基本構成要素とにより構成され、N型領域またはP型領域上の接点が各画素に作られ、他のP型領域またはN型領域の接点は全ダイオードに共通である。該センサにおいては、センサが広幅ギャップの、光学的かつ電気的に透明な中間層42を含み、該中間層が活性層41と基板40との間に配置されている。
請求項(抜粋):
2次元光子放射検出器であって、該検出器が、2個のチップ間を電気的かつ機械的に相互接続するマイクロ-ボール・ネットワークによって、検出チップを読み取りチップ上に混成する技術に基づいており、前記検出チップが、ixj画素の2次元構造と、基板(40)上にエピタキシャル成長させた活性層(41)と、該活性層(41)内に形成されたN/P型またはP/N型ダイオードから成る各基本感光構成要素とから構成され、N型領域またはP型領域上の接点が各画素に作られており、他のP型領域またはN型領域上の接点は全ダイオードに共通である形式のものにおいて、 該検出器が、広幅ギャップの、光学的かつ電気的に透明な中間層(42)を含み、該中間層が活性層(41)と基板(40)との間に配置されていることを特徴とする2次元光子放射検出器。
IPC (4件):
H01L 27/146 ,  G01J 1/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (4件):
H01L 27/14 F ,  G01J 1/02 B ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 K

前のページに戻る