特許
J-GLOBAL ID:200903064874556894
薄膜の堆積のための装置および方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 稔 (外6名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-558505
公開番号(公開出願番号):特表2003-522831
出願日: 2001年01月31日
公開日(公表日): 2003年07月29日
要約:
【要約】超電導薄膜などの多成分薄膜を基板上に形成するための装置は、少なくとも1つの基板を保持するための保持器(104)および堆積/反応容器を含む。堆積/反応容器(102)は少なくとも3つのゾーン(114)を有し、各ゾーンは壁(120)によって隣接ゾーンから分離される。ゾーンは、各々が少なくとも1つの基板に堆積材料(126)を堆積するように構成され配置された堆積ゾーン(116)を少なくとも2つ、および堆積材料を反応物と反応させるための反応ゾーン(118)を少なくとも1つ含む。該装置は、少なくとも1つの基板を回転させながら複数のゾーンを順次通過させて、基板に薄膜を形成する。該装置の実施形態によっては、堆積/反応容器は同数の堆積ゾーンおよび反応ゾーンを含み、それらは交互の堆積ゾーンおよび反応ゾーンとすることができる。
請求項(抜粋):
(a)少なくとも1つの基板を水平に保持するための保持器と、(b)複数のゾーンを含む堆積/反応容器であって、各ゾーンが壁によって隣接ゾーンから分離され、前記複数のゾーンが、 (i)各々が少なくとも1つの基板上に堆積材料を堆積するように構成され配置された少なくとも2つの堆積ゾーンと、 (ii)前記少なくとも1つの基板上の堆積材料を反応物と反応させるための少なくとも1つの反応ゾーンとを含むように構成された前記堆積/反応容器とを備え、少なくとも1つの基板を水平方向に繰返し回転させながら前記複数のゾーンを順次通過させるように構成され配置された装置。
IPC (3件):
C23C 14/24 ZAA
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565
FI (3件):
C23C 14/24 ZAA C
, H01B 12/06
, H01B 13/00 565 D
Fターム (13件):
4K029BA50
, 4K029BC04
, 4K029CA02
, 4K029DA08
, 4K029DA10
, 4K029DB14
, 4K029EA08
, 5G321AA01
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321DB35
, 5G321DB39
, 5G321DB40
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開昭64-021973
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特開平2-275716
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特開平2-004967
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