特許

J-GLOBAL ID：200903064874624130

化合物半導体の形成方法及び半導体装置

発明者： 河田 雅彦 ,  後藤 順 ,  赤松 正一 ,  皆川 重量
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096917
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290048
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】p型GaNをMOCVDを用いて結晶成長するときに生ずる水素とMgとの結合によるp-GaNの高抵抗化を防止する。【解決手段】レーザ構造のp型クラッド層までをMOCVDで形成し、p-GaNコンタクト層のみをMBEで成長する。また、MBE成長ではMEE法を使い、不純物をIII族元素であるGaと同時に供給し、確実にIII族サイトに留め、アクセプタの補償を防ぐ。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の結晶成長において、第1の工程としてp型コンタクト層を構成する半導体の少なくとも一方の第1の元素を一定時間照射し、第2の工程として零時間もしくは一定時間の元素照射停止時間を介し、第3の工程として第1の元素とは異なる一方の第2の元素を一定時間照射し、第1の工程から第3の工程を順次繰り返し、かつ、不純物元素は、第1の工程においては第1の元素と、第3の工程においては第2の元素と同時に供給することを特徴とする化合物半導体の形成方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C