特許
J-GLOBAL ID：200903064876227871
コンタクト形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301769
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140516
出願日： 1991年11月18日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】配線層のコンタクトカバレージを向上させるコンタクト形成方法を提供する。【構成】導電層1上方に形成したオフセット絶縁層4のコンタクトホール6を介して、上記導電層に自己整合的にコンタクトを形成するコンタクト形成方法において、上記オフセット絶縁層4のコンタクトホール6の開口面積を上側で大にする。
請求項（抜粋）：
導電層上方に形成したオフセット絶縁層のコンタクトホールを介して前記導電層に自己整合的にコンタクトを形成するコンタクト形成方法において、前記オフセット絶縁層のコンタクトホールの開口面積を上側で大にすることを特徴とするコンタクト形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/302
, H01L 21/316
