特許
J-GLOBAL ID：200903064879329454
横型高耐圧半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-038047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318696
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【目的】ターンオフ能力が高いpnpn構造を有する自己消弧型の横型高電圧半導体素子を提供すること。【構成】絶縁膜2上に設けられたn- 型ベース層3と、n- 型ベース層3の表面に選択的に形成されたp+ 型エミッタ層6と、p+ 型エミッタ層6に設けられたアノード電極7と、n- 型ベース層3の表面に選択的に形成されたp型ベース層5と、p型ベース層5の表面に選択的に形成されたn+ 型エミッタ層8と、n+型エミッタ層8に設けられたカソード電極9と、n+ 型エミッタ層8とn- 型ベース層とを選択的に短絡するためのオン用ゲート電極12と、n+ 型エミッタ層8とp型ベース層5とを選択的に短絡するためのオフ用ゲート電極11と、p+型エミッタ層6とp型ベース層5との間のn- 型ベース層3の表面に選択的に形成され、カソード電極9に接続されたp+ 型ウェル層14とを備えている。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に形成された第1導電型ベース層と、前記第1導電型ベース層の表面に選択的に形成された第2導電型エミッタ層と、前記第2導電型エミッタ層に設けられた第1の主電極と、前記第1導電型ベース層の表面に選択的に形成された第2導電型ベース層と、前記第2導電型ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型エミッタ層と、前記第1導電型エミッタ層に設けられた第2の主電極と、前記第1導電型エミッタ層と前記第1導電型ベース層とを選択的に短絡する手段と、前記第1導電型エミッタ層と前記第2導電型ベース層とを選択的に短絡する手段と、前記第2導電型エミッタ層と前記第2導電型ベース層との間の前記第1導電型ベース層の表面に選択的に形成され、前記第1導電型エミッタ層と選択的若しくは非選択的に短絡される第2導電型半導体層と、を具備する横型高耐圧半導体素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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