特許

J-GLOBAL ID：200903064880121735

キンク効果を防止した回路素子

発明者： ジャン・ピエール・コランジュ ,  ミン・フイ・ガオ
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-062944
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326943
出願日： 1991年03月27日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 キンク効果のないMOSFETを提供する。【構成】 MOS構造に第1のゲート領域4'と第2のゲート領域6を設けて両者を接続した。

請求項（抜粋）：

ソース端子を有し、第1導電型のソース領域と:第1のゲート端子を有し、第1導電型と反対の導電型の第1ゲート領域と:第1導電型の中間領域と:第2のゲート端子を有し、第1ゲート端子と接続され、第2導電型の第2ゲート領域と;ドレイン端子を有し、第1導電型のドレイン領域とを備えたことを特徴とする回路素子。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 311 X