特許
J-GLOBAL ID：200903064886045402
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 武一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-318083
公開番号（公開出願番号）：特開平8-176805
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月09日
要約：
【要約】【目的】 レーザアブレーション法による薄膜形成方法において、レーザ光のパワーを変化させることなく基板上での成膜速度をコントロールし、かつ、ドロップレットの発生を防止すること。【構成】 レーザ光Lは窓部11から成膜室10へ導入され、ターゲット15を照射する。ターゲット15はレーザ光の照射によって成膜材料(原子、分子、イオン)を放出し、これらの成膜材料は基板16上に堆積/結晶化して薄膜を形成する。ターゲット15と基板16との間にはメッシュ状又は格子状の通過面積コントロール板17が設置されている。成膜材料はコントロール板17の隙間を通過して基板16上に到達する。
請求項（抜粋）：
レーザアブレーション法によって基板上に成膜材料を堆積/結晶化して薄膜を形成する方法において、ターゲットから放出された成膜材料を、多数の隙間を有する通過面積コントロール部材を介して基板上に到達させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 14/28
, B01J 19/08
, C30B 23/08
