特許
J-GLOBAL ID：200903064886733198
オーミック電極の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168550
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190488
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】P型GaAsに、耐熱性および長期信頼性に優れ、かつ低抵抗のオーミック電極を形成する。【構成】半絶縁性GaAs基板1に形成されたP型GaAs動作層2上にIn層3、P型不純物となるZn層4、拡散防止層となるW層5を順に堆積する。高温の熱処理を行ない、Znが高濃度に含まれたInGaAs層またはInGaAsグレイン6を形成する。【効果】禁制帯幅が狭く、金属とのポテンシャル障壁の低いInGaAs層により、低抵抗のオーミックコンタクトが得られる。低融点合金層が形成されることなく、拡散防止層が形成されている。InGaAs層からのInの拡散は小さいので、耐熱性および長期信頼性に優れたオーミック電極が実現された。
請求項（抜粋）：
P型砒化ガリウム層上に、亜鉛、ベリリウム、クロム、マグネシウムのうち少なくとも1元素とインジウムとを含む第1層を形成する工程と、前記第1層上に高融点金属層、高融点金属珪化物層、高融点金属窒化物層のうち1つからなる第2層を形成する工程と、高温で熱処理する工程とを含むオーミック電極の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 301
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01S 3/18
