特許
J-GLOBAL ID：200903064889198447
薄膜トランジスタアレイ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 一公
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-114312
公開番号（公開出願番号）：特開平6-324351
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタアレイ素子に関するもので、特に、高密度でしかも高開口率を実現することができる構成を提供する。【構成】 複数の走査配線3と複数の信号配線4及びこれら配線の各交差点に対応して設けた絵素電極5と、各絵素電極5に接続された薄膜トランジスタ2とからなる薄膜トランジスタアレイであって、絵素電極5端に至る領域上に無機絶縁層6を形成し、この無機絶縁層6の膜厚はテーパ状に形成した。【効果】 配線電極と絵素電極間の電位差によって液晶に発生する横方向電界を緩和し、絵素電極端から発生する逆ティルト現象を抑制し、高密度でかつ高開口率の薄膜トランジスタ素子を実現できる。
請求項（抜粋）：
複数の走査配線と複数の信号配線、及びこれら配線の各交差点に対応して設けた絵素電極と、各絵素電極に接続された少なくとも1つ以上の薄膜トランジスタとよりなる薄膜トランジスタアレイ素子であって、前記信号配線及び走査配線と絵素電極端に至る領域上には、無機絶縁層がコーティングされていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ素子。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
