特許
J-GLOBAL ID：200903064890188633
ホトマスク及びそれを用いたパタン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163742
公開番号（公開出願番号）：特開平11-015128
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 孤立パタンと密集パタンの解像度向上を図ったホトマスク及びパタン形成方法を提供する。【解決手段】 ホトマスクのオルタネート型位相シフト部8をハーフトーン膜2と遮光膜3との積層膜で、ハーフトーン型位相シフト部9をハーフトーン膜2で構成する。【効果】 疎配置、密配置パタンが存在するマスクにおいて、両者のパタンの解像特性およびプロセスの裕度が向上し、素子の製造歩留りが向上した。また、パタンの微細化が実現でき素子面積の縮小化が実現できた。
請求項（抜粋）：
露光光に対して透明な基板と、前記基板に設けられ、その有無により前記露光光の位相が反転するような溝と、前記基板上であって、前記溝の周辺の所定の領域に設けられ、前記露光光に対して前記基板よりも透過率が低くく、その有無により前記露光光の位相が反転するような半透明膜と、前記基板が露出するように前記半透明膜の第1の領域に設けられた第1の開口部と、前記半透明膜の第2の領域上に設けられ、前記露光光に対して前記半透明膜よりも透過率が低い遮光膜と、前記基板が露出するように前記遮光膜及び前記半透明膜に設けられた第2の開口部とを有することを特徴とするホトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
