特許
J-GLOBAL ID：200903064897471578
薄膜の作成法および作成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂本 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-302165
公開番号（公開出願番号）：特開平9-118973
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】 高温環境下で使用されても基板の表面から剥離して絶縁破壊を生じることがない高温絶縁性の優れたセラミックス化合物からなる薄膜を作成する。【解決手段】 スイッチ11を接地側に切り替えるとともにシャッタ10を開けることにより真空槽4内に収容された金属製基板5の表面に薄膜作成法によりセラミックス化合物からなる薄膜を形成した後に、スイッチ11をプラズマ電源12側に切り替えるとともにシャッタ10を閉じることにより薄膜の表面にドライエッチングを行ってからスイッチ11を接地側に切り替えるとともにシャッタ10を開けることにより薄膜作成法により薄膜と異種のセラミックス化合物からなる薄膜を形成する処理を、2回行うことにより、基板2の表面に3層の薄膜を積層する。
請求項（抜粋）：
金属製の基板の表面に薄膜作成法により真空状態でセラミックス化合物からなる薄膜を形成した後に、前記真空状態を維持したまま前記薄膜の表面に、ドライエッチングを行ってから前記薄膜作成法により前記薄膜と同種または異種のセラミックス化合物からなる薄膜を形成する処理を1回または2回以上行うことにより、前記基板の表面に2層以上の薄膜を積層することを特徴とする薄膜の作成法。
IPC (3件)：
C23C 14/08
, C23C 14/22
, C23F 4/00
C23C 14/08 N
, C23C 14/22 Z
, C23F 4/00 A
