特許
J-GLOBAL ID：200903064898657845
アクティブマトリクス基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327851
公開番号（公開出願番号）：特開平5-165054
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月29日
要約：
【要約】【目的】 アクティブマトリクス基板において、陽極酸化による配線金属の膜厚の削減を抑えて、配線抵抗の増加を防ぐようにする。【構成】 ゲートバスライン3a及び付加容量配線26の上の幅方向両端部に陽極酸化膜4が形成されており、ゲートバスライン3a又は付加容量配線26の幅方向両端部を覆う陽極酸化膜4の膜厚が、陽極酸化膜4にて覆われているゲートバスライン3a部分又は付加容量配線26部分の他の表面部分における陽極酸化膜4の膜厚よりも厚くなされている。よって、ゲートバスライン3aや付加容量配線26等の配線の幅方向端部を除く他の部分が余り陽極酸化されないため、断面的には配線金属の膜厚の削減を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に複数の走査線と複数の信号線とが交差して縦横に配線され、走査線と信号線とで囲まれた領域に絵素電極がマトリクス状に形成されていると共に、走査線と信号線との交差部近傍に配設されたスイッチング素子が該絵素電極に接続されたアクティブマトリクス基板において、該走査線の表面の長さ方向に沿った一部又は全部に、走査線を陽極酸化することにより陽極酸化膜が形成され、該走査線における幅方向両端部又は片端部を覆う陽極酸化膜部分の膜厚が、走査線の他の表面部分を覆う陽極酸化膜部分よりも厚くなされたアクティブマトリクス基板。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/12
, H01L 29/784
, H01L 21/316
