特許
J-GLOBAL ID：200903064905556898
不揮発性記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145080
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】高集積化を達成し、均一で安定した記憶特性を有する不揮発性記憶装置を提供する。【構成】半導体基板1のチャネル領域上に、独立して形成した一対の多層ゲート絶縁膜6上に、メモリゲート電極7を設け、メモリゲート電極7間及びメモリゲート電極7上の少なくとも一部に、絶縁膜8を介してアドレスゲート電極9を形成した構造を有する不揮発性記憶装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板のチャネル領域に独立して形成した一対の多層ゲート絶縁膜上に、メモリゲート電極を設け、当該メモリゲート電極間及びメモリゲート電極上の少なくとも一部に、絶縁膜を介してアドレスゲート電極を形成したことを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
