特許

J-GLOBAL ID：200903064908420296

シリコンの微細加工方法

発明者： 小林 一雅
出願人/特許権者： 日本航空電子工業株式会社
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020108
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232112
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエハの結晶軸方向と、マスクパターンとの角度合わせに精度を要せず、かつ異方性エッチングによる加工精度を向上させる。【構成】 {100}面Siウエハ1の{100}面4に、円形開口部13を有する耐エッチング保護膜(マスクパターン)2を形成して、異方性エッチングを行い、四角錘状の孔7を形成する。孔7の上端の対向する2辺は<110>結晶軸方向5と平行で、他の2辺は結晶軸方向5と直角で、各辺の長さは開口部13の直径aに等しくなる。孔7は傾斜した{111}面6で囲まれている。{110}面Siウエハを用いた場合には、対向する2辺の間隔aをもつ菱形の孔が{110}面と垂直に形成される(図示せず)。いずれの場合も結晶軸方向とマスクパターンにずれがあっても、孔7の前記寸法aは一定で、マスクパターンの円形開口部13の直径aに等しい。

請求項（抜粋）：

{100}面シリコンウエハの{100}面に、円形開口部を有するマスクパターンを形成して、異方性エッチングを行い、前記{100}面に四角錘状の孔を形成することを特徴とするシリコンの微細加工方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭54-088126
  
• 特開昭52-002175