特許
J-GLOBAL ID：200903064913545820
レジスト層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063704
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275508
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 段差を有する基板上で膜厚不均一性のないレジスト層を形成することによりパターン精度の低下を抑制する。【構成】 バキュームにより吸着固定させた段差を有する基板1を低速で回転させながら有機高分子溶液2の滴下を行ない、有機高分子膜を形成する。次にホットプレート3上で高温、例えば200°Cで加熱処理して有機高分子膜4を硬化させる。次に基板上の有機高分子膜を所望の膜厚になるまでO2ガスよりなるプラズマ5で全面エッチバックを行なう。次にバキュームにより吸着固定させた基板1を回転させながらレジスト溶液6の滴下を行ない、レジスト膜を形成する。
請求項（抜粋）：
低速で回転させた段差を有する基板上に有機高分子溶液を滴下して有機高分子膜を形成する工程と、前記有機高分子膜を形成した基板をホットプレート上で高温で加熱する工程と、前記有機高分子膜を全面エッチバックする工程と、前記全面エッチバックを行なった基板上にレジスト溶液を滴下してレジスト膜を形成する工程とを備えたレジスト層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, B05D 1/40
, G03F 7/16 502
