特許

J-GLOBAL ID：200903064916990972

絶縁ゲート形電界効果トランジスタ

発明者： 長洲 正浩 ,  高田 正典
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-175120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030111
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】炭化珪素を用いた半導体デバイスにおいて、炭化珪素と結晶整合性のよい材料をデバイスの構成要素に使用することで、炭化珪素が有する物理的性能を効果的に引き出し、大電力変換容量を有し、かつ高速動作する高性能な半導体素子を実現すること。【構成】高不純物濃度の炭化珪素あるいは電気的導電性に優れた炭化チタンを基板とし、ドレイン領域になるn形の炭化珪素層と,ウェル層になるp形の炭化珪素層と,ソース領域になるn形の炭化珪素層が順次重ねられた構造の絶縁ゲート形電界効果トランジスタにおいて、素子の表面からドレイン領域へ達するように掘り込まれた凹部にゲート電極を設け、さらにソース電極とp形のウェル層の電気的接続に炭化珪素と結晶整合性のよい炭化チタンを使用する。

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の炭化珪素あるいは電気的導電性に優れた炭化チタンを基板とし、一方の導電形の炭化珪素からなる第1の半導体層と、その上に重ねられた他方の導電形の炭化珪素からなる第2の半導体層と、その上に重ねられた一方の導電形からなる第3の半導体層と、第3の半導体層から第1の半導体層へ達するように掘り込まれた凹部と、この凹部の表面を覆うゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介し凹部に作り込まれたゲート電極部と、第3の半導体層と基板とに接続された一対のソースとドレイン電極部と、ソース電極と第2の半導体層が炭化チタンで電気的に接続された構造を特徴とする絶縁ゲート形電界効果トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/80

FI (6件)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/74 N ,  H01L 29/78 321 V ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/80 V