イオン導電性ゲル電解質形成用シ-ト及びイオン導電性ゲル電解質シ-トの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264271
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102612
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】イオン導電率が高く、かつ強度的にも優れ、且つその製法において環境負荷の小さいイオン導電性ゲル電解質シ-トの提供。【解決手段】実質的に非水電解液に溶解しない高分子重合体よりなる繊維状物又はパルプ状物よりなる支持相Aと、実質的に非水電解液により溶解ないし可塑化したイオン導電性ゲル状高分子重合体からなるマトリックス相Bを形成しうる繊維状物又はパルプ状物とを複合一体化しており、かつ、支持相Aが多孔質な連続相を形成したゲル電解質形成用シ-ト。

請求項（抜粋）：

実質的に非水電解液に溶解しない高分子重合体よりなる繊維状物又はパルプ状物よりなる支持相Aと、実質的に非水電解液により溶解又は可塑化しうる高分子重合体の繊維状物又はパルプ状物からなるマトリックス形成相Bとが一体化され、かつ、支持相Aが連続相を形成したものである事を特徴とするイオン導電性ゲル電解質形成用シ-ト。

IPC (8件)：

H01B 1/12 , B32B 5/26 , D21H 13/14 , H01G 9/025 , H01M 6/18 , H01M 6/22 , H01M 10/40 , C08L 33/20

FI (9件)：

H01B 1/12 Z , B32B 5/26 , H01M 6/18 E , H01M 6/22 C , H01M 10/40 B , C08L 33/20 , H01G 9/00 301 G , D21H 5/20 A , B32B 27/30 Z

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