薄膜トランジスタにおけるコンタクトホールの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-165852
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013762
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】径の小さな微細なコンタクトホールを形成できる薄膜トランジスタにおけるコンタクトホールの形成方法を提供する。【構成】コンタクトホール形成予定部分に湿式エッチングを行って、コンタクトホール8の上部までを形成すると共に、コンタクトホール上部の上縁部にテーパを付け、その後に行う異方性の乾式エッチングを絶縁膜7の途中で止め、残りのその下の絶縁膜7部分を湿式にてエッチングする。このため、ソース領域5及びドレイン領域6に達する際のエッチングを異方性エッチングではなく、選択比の十分大きい湿式のエッチングにて行うので、オーバーエッチングとなることがない。また、横方向への広がりは湿式エッチングの際に主としてなされるが、従来に比べて、湿式エッチングによりコンタクトホール8が形成される深さが浅いので、横方向への広がりは小さいものとなる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜トランジスタの上が絶縁膜で覆われ、該薄膜トランジスタを構成するソース領域及びドレイン領域それぞれの上の絶縁膜部分に、該絶縁膜を貫通する配線接続用のコンタクトホールを形成する方法において、コンタクトホール形成予定部分に湿式エッチングを行って、コンタクトホールの上部までを形成すると共に、コンタクトホール上部の上縁部にテーパを付ける工程と、該コンタクトホール上部の下側部分に異方性の乾式エッチングを行って、該絶縁膜の途中までコンタクトホールを伸長する工程と、コンタクトホール形成予定部分の下側に残った絶縁膜に湿式エッチングを行って、該ソース領域及び該ドレイン領域に達するまでコンタクトホールを伸長する工程と、を含む薄膜トランジスタにおけるコンタクトホールの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 , H01L 21/306 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 29/78 311 F , H01L 21/88 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-033971
特開昭62-244136

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