特許
J-GLOBAL ID：200903064922645314
漏れ電流を用いたマトリックス型多進法強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-301144
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303378
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 漏れ電流を用いたマトリックス型多進法強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 漏れ電流を用いたマトリックス型強誘電体メモリは、誘電体及び強誘電体キャパシターから形成されたその単位セルをマトリックス型で結線し、その下部電極をビットラインで結線し、その上部電極をワードラインで結線して、各々のワードライン及びビットラインにセル選択用のトランジスタを具備することにより、各メモリセルが誘電体及び強誘電体キャパシターだけで形成されて集積度を高めることができ、製作工程が簡単になり生産性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
相互に積み重なって形成された誘電体キャパシター及び強誘電体キャパシターの積層をその単位セルとして、前記積層の下部電極を連結してビットラインを形成し、前記積層の上部電極を連結してワードラインを形成し、前記積層をマトリックス型に配列したことを特徴とする漏れ電流を用いたマトリックス型多進法強誘電体ランダムアクセスメモリ。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 11/56
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, G11C 11/56
, H01L 29/78 371
