特許
J-GLOBAL ID：200903064924049565
半導体光制御素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040546
公開番号（公開出願番号）：特開2000-241776
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 電界に対して効率よく吸収係数変化および屈折率変化を得る。【解決手段】 光吸収層4は、n型を与える不純物を有する第1の井戸層8と、この第1の井戸層8に接して形成された障壁層9と、この障壁層9に接して形成された第2の井戸層10と、からなる、量子井戸対を、少なくとも一以上有する多重量子井戸構造である。そして、量子井戸対は、そのバンドギャップエネルギーが漸次変化するとともに、電界の印加されない状態で、第1の井戸層8の第1準位が光吸収層4のフェルミ準位以下でありかつ第2の井戸層10の第1準位が光吸収層4のフェルミ準位以上である。
請求項（抜粋）：
光吸収層を有する電界変調型の半導体光制御素子において、前記光吸収層は、n型を与える不純物を有する第1の井戸層と、この第1の井戸層に接して形成された障壁層と、この障壁層に接して形成された第2の井戸層と、からなる量子井戸対を、少なくとも一以上有する多重量子井戸構造であり、前記量子井戸対は、そのバンドギャップエネルギーが漸次変化するとともに、電界の印加されない状態で、前記第1の井戸層の第1準位が前記光吸収層のフェルミ準位以下でありかつ前記第2の井戸層の第1準位が前記光吸収層のフェルミ準位以上であることを特徴とする半導体光制御素子。
Fターム (12件)：
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079BA03
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079HA12
, 2H079HA13
