特許

J-GLOBAL ID：200903064924337382

パターン形成方法およびレジスト塗布装置

発明者： 田中 稔彦 ,  内野 正市 ,  村井 二三夫 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056987
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255736
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【構成】ウェハを回転させる機構と,有機膜を滴下する機構と,紫外光あるいは遠紫外光を照射する機構と,レジストを滴下する機構からなり、被加工基板上に有機膜を形成し、有機膜上に紫外光あるいは遠紫外光を照射し、この処理を施した有機膜上にレジストを塗布し、所望のパターンをレジストに露光し、現像・リンスしレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクに被加工基板と一緒に有機膜をエッチングする。【効果】密集した微細レジストパターンやアスペクト比の高いレジストパターンのパターンはがれを防止でき、パターン形成不良を低減できる。

請求項（抜粋）：

被加工基板上にレジストを塗布後、所望のパターンを露光し、次に現像及びリンスを行い、その後、リンス液を乾燥させて所望のレジストパターンを形成するパターン形成方法において、前記レジストを塗布する前に有機膜を被加工基板上に形成し、形成後紫外線あるいは遠紫外線を前記有機膜上に照射しておくことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/205

FI (10件)：

H01L 21/30 563 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/30 515 E ,  H01L 21/30 564 C ,  H01L 21/30 569 A ,  H01L 21/30 572 Z ,  H01L 21/30 575