特許
J-GLOBAL ID：200903064925269135
露光方法及び薄膜多層基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173059
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020909
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 パターン寸法の面内ばらつきがある下地基板上に微細な薄膜パターンを整合させて形成する。【構成】 本発明は、厚膜パターンを有するセラミックス等の下地基板、整合層、接続層、絶縁層及び信号層等の配線層等からなる薄膜多層基板等の製造工程におけるレジスト等の感光性樹脂膜への露光方法であって、下地基板毎に基準点からのパターン座標寸法を測定し記憶させる工程と、測定値から計算により最適な露光座標等を求める工程と、必要に応じて露光範囲を分割して、その分割単位毎にマスク合わせを行い、ステップ露光を行う工程とにより行われる。これにより、面内ばらつきのある下層パターンと整合をとりながら徐々に面内ばらつき小さくすることができ、高密度配線が可能な基板を得ることができる。
請求項（抜粋）：
厚膜パターンを有するセラミックス等の下地基板、厚膜パターンと薄膜パターンとの整合をとるための整合層、各層間を接続するための接続層、各導体間の絶縁をとるための絶縁層及び信号層等の配線層からなる薄膜多層基板の製造工程における感光性樹脂膜に対する露光方法において、下地基板毎に基準点からのパターン座標寸法を測定して記憶させる工程と、この測定値から計算により最適な露光座標等を求める工程と、必要に応じて露光範囲を分割して、その分割単位毎にマスク合わせを行い、ステップ露光を行う工程とを含むことを特徴とする露光方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03B 27/32
, G03F 7/20
, H05K 3/00
, H05K 3/46
