特許
J-GLOBAL ID：200903064933485955
ブロック共重合体を利用した半導体素子の微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-252906
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182319
出願日： 2008年09月30日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】ブロック共重合体を利用した半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板上に複数の反復単位を有するブロック共重合体を含むコーティング層を形成するステップと、複数のリッジ及び溝からなる第1パターンが形成されたモールドを利用して、コーティング層に第1パターンを転写するステップと、モールドの溝内にコーティング層が充填された状態で、コーティング層内のブロック共重合体の反復単位を相分離によって再配列させ、モールドのリッジ及び溝によってガイドされる方向に沿って配向された複数のポリマーブロックからなる自己組立構造を形成するステップと、複数のポリマーブロックのうちの一部のポリマーブロックを除去して、残りの一部のポリマーブロックからなる自己組立微細パターンを形成するステップと、を有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板上に複数の反復単位を有するブロック共重合体を含むコーティング層を形成するステップと、
複数のリッジ及び溝からなる第1パターンが形成されたモールドを利用して、前記コーティング層に前記第1パターンを転写するステップと、
前記モールドの溝内に前記コーティング層が充填された状態で、前記コーティング層内のブロック共重合体の反復単位を相分離によって再配列させ、前記モールドのリッジ及び溝によってガイドされる方向に沿って配向された複数のポリマーブロックからなる自己組立構造を形成するステップと、
前記複数のポリマーブロックのうちの一部のポリマーブロックを除去して、残りの一部のポリマーブロックからなる自己組立微細パターンを形成するステップと、を有することを特徴とする半導体素子の微細パターンの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 502D
, B29C59/02 Z
4F209AA13
, 4F209AA44
, 4F209AB10
, 4F209AC05
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ03
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PA15
, 4F209PB01
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F046AA28
