特許

J-GLOBAL ID：200903064946684566

2層選択成長法

発明者： 向田 昌志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-132051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321529
出願日： 1997年05月22日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 III 族-N系化合物半導体膜と基板との界面からIII 族-N系化合物半導体膜の表面まで伝搬した転位が存在しないIII 族-N系化合物半導体膜を作製することができる2層選択成長法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板1上のGaN層2の表面の一部分に、SiO2 膜3a,3b,3c,3dを形成した後に、SiO2 膜3a,3b,3c,3dの表面全体を覆うようにGaN層2を成長させてGaN層4を形成し、このGaN層4の表面に、SiO2 膜3a,3b,3c,3dの基板1に平行な投影面において、少なくともSiO2 膜3a,3b,3c,3dで覆われない領域を含むように、GaNが成長しない材料から成るSiO2 膜5a,5b,5c,5d,5eを形成した後に、GaN層4を成長させてGaN層6を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にIII 族窒化物半導体の層を成長させる第1の工程と、前記III 族窒化物半導体の層の表面の一部分に、前記III 族窒化物半導体が成長しない材料から成る第1の膜を形成する第2の工程と、前記III 族窒化物半導体を、前記第1の工程で成長させたIII 族窒化物半導体の層の表面のうちの前記第1の膜が形成されない部分に成長させた後、前記第1の膜の表面が覆われるように成長させる第3の工程と、少なくとも前記第1の膜の前記基板に平行な投影面における前記第1の膜で覆われない領域を含むように、前記第3の工程で成長させたIII 族窒化物半導体の層の表面の一部分に、前記III 族窒化物半導体が成長しない材料から成る第2の膜を形成する第4の工程と、前記III 族窒化物半導体を、前記第3の工程で成長させたIII 族窒化物半導体の層の表面のうちの前記第2の膜が形成されない部分に成長させた後、前記第2の膜の表面が覆われるように成長させる第5の工程と、を含むことを特徴とする2層選択成長法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-303920
  
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社