特許
J-GLOBAL ID：200903064947313251
窒化ケイ素薄膜の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294229
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151421
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 反応性スパッタ法により内部応力が低く、耐薬品性に優れた高品質の窒化ケイ素薄膜の形成方法を提供する。【構成】 窒素ガスプラズマ中でシリコンをスパッタリングし、反応性スパッタ法により窒化ケイ素薄膜を形成する方法において、上記窒素ガスプラズマ中に、ヘリウムまたはネオンもしくはその混合ガスを導入してプラズマ励起状態を高めることにより反応性を増大させて窒化ケイ素薄膜を堆積する方法。【効果】 低温で内部応力が低く、耐薬品性に優れた高品質の窒化ケイ素薄膜が得られる。
請求項（抜粋）：
窒素ガスプラズマ中でシリコンをスパッタリングし、反応性スパッタ法により窒化ケイ素薄膜を形成する方法において、上記窒素ガスプラズマ中にヘリウムまたはネオンもしくはその混合ガスを導入してプラズマ励起状態を高め反応性を増大させて窒化ケイ素薄膜を堆積することを特徴とする窒化ケイ素薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, C23C 14/34
, H01L 21/203
