半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245895
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069357
出願日： 1992年08月22日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】層間絶縁膜に開孔するスルーホールの形状、寸法の制御を容易に行い、かつ工期の短縮を可能にする。【構成】下層配線1上に設けた層間絶縁膜2上にフォトレジスト3を塗布する工程と、スルーホールの開孔箇所において前記フォトレジスト3に焦点及び光量を調整した第1の露光を行う工程と、同箇所に通常の条件で第2の露光を行う工程と、そのフォトレジスト3を現像して第1及び第2の露光で露光された領域を除去する工程と、このフォトレジスト3をマスクにして層間絶縁膜2を異方性エッチングしてテーパー付きスルーホール4を開孔する工程を含む。

請求項（抜粋）：

下層配線と上層配線とを層間絶縁膜に開孔したスルーホールを通して相互に電気接続する多層配線構造を有する半導体装置において、前記層間絶縁膜を形成した後にこの上にフォトレジストを塗布する工程と、スルーホールの開孔箇所において前記フォトレジストに焦点及び光量を調整した第1の露光を行う工程と、同箇所に通常の条件で第2の露光を行う工程と、そのフォトレジストを現像して前記第1及び第2の露光で露光された領域を除去する工程と、このフォトレジストをマスクにして前記層間絶縁膜を異方性エッチングし、テーパー付きスルーホールを開孔する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法

引用特許：

審査官引用 (2件)

接続孔の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-130876 出願人：日本電信電話株式会社
特開平1-293620

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