特許

J-GLOBAL ID：200903064954079736

半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者： 荒井 秀樹 ,  鈴木 邦彦
出願人/特許権者： 株式会社ニューフレアテクノロジー
代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-256806
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073628
出願日： 2005年09月05日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 本発明は、サセプタ上に形成された被膜を効率的に除去し、リードタイムの短縮が可能な半導体製造装置と半導体製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、被処理ウェーハ1を保持するためのサセプタ3が設置され、成膜ガスを導入して成膜を行なう成膜チャンバ2と、前記成膜の際に前記サセプタ3に形成された被膜を除去するエッチングチャンバ4と、前記被膜が除去された前記サセプタ3を一時保管する保管部5を備え、サセプタ3上に形成された被膜を効率的に除去し、リードタイムの短縮が可能としたものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理ウェーハを保持するためのサセプタが設置され、成膜ガスを導入して成膜を行なう成膜チャンバと、 前記成膜の際に前記サセプタに形成された被膜を除去するエッチングチャンバと、 前記被膜が除去された前記サセプタを一時保管する保管部を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (1件)：

H01L 21/205

FI (1件)：

H01L21/205

Fターム (9件)：

5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AF01 ,  5F045BB08 ,  5F045EB06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平3-199195号公報
  
• 特開平4-188720号公報