特許

J-GLOBAL ID：200903064956885993

薄膜処理方法及び液晶表示装置

発明者： 茶原 健一 ,  鬼沢 賢一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028343
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】試料を処理するためのガスの圧力に対する制約をなくし、ガスの分解による低分子活性種を発生により化学反応を促進させて試料の純度を向上させる。【解決手段】ガス導入口18からガスを導入してアノード24とカソード22間にアーク放電を発生させてプラズマを生成し、このプラズマから電子ビーム34を引き出し、この電子ビーム34を減圧室12を介して反応室14内に導き、反応室14内のガスに電子ビーム34を照射してプラズマ50を生成し、このプラズマ50により基板48に処理を施す。

請求項（抜粋）：

電子ビーム源を有する電子ビームを発生する工程と、試料とともにガスを収納し、前記電子ビームの導入によるガスの電離により生成したプラズマを基板上の試料に照射する反応室を有した処理工程と、前記電子ビーム源と前記反応室との間に配置されて両者を分離するとともに前記電子ビーム源からの電子ビームを前記反応室に導く電子ビームの伝送路によって、電子ビームを伝送する工程とを有する薄膜処理工程。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 A

Fターム (49件)：

2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092MA08 ,  2H092MA15 ,  2H092MA19 ,  2H092PA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC04 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC17 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH16 ,  5F045EH19 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG35 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110QQ11