特許

J-GLOBAL ID：200903064961429912

半導体装置

発明者： 大 場 竜 二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181122
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022005
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 ナノクリスタル浮遊ゲートからチャネルへのリーク電流を抑制し、書込み電圧の調節を可能とする。【解決手段】 半導体基板と、ゲート電極と、前記半導体基板と浮遊ゲート電極との間に設けられ電荷を蓄積できる半導体微粒子が含まれるゲート絶縁膜とを備える半導体装置において、浮遊ゲート電極として機能する前記ゲート絶縁膜に含まれる前記半導体微粒子がn型またはp型の不純物を含む半導体微粒子であると共にその粒径を5ないし10ナノメータのスケールとした。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、ゲート電極と、前記半導体基板と浮遊ゲート電極との間に設けられ電荷を蓄積できる半導体微粒子が含まれるゲート絶縁膜とを備える半導体装置において、浮遊ゲート電極として機能する前記ゲート絶縁膜に含まれる前記半導体微粒子がn型またはp型の半導体微粒子であると共にその粒径がナノメータ単位のものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (31件)：

5F001AA10 ,  5F001AA19 ,  5F001AA34 ,  5F001AB08 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD12 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF06 ,  5F001AF20 ,  5F001AG02 ,  5F001AG12 ,  5F001AG21 ,  5F001AG24 ,  5F001AG30 ,  5F083EP09 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083JA02 ,  5F083JA32 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電荷トラツプ膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-313313   出願人：ローム株式会社