特許
J-GLOBAL ID：200903064961807330
厚膜基板とターミナルとの接続方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202630
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038255
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】より強固な構造のターミナル半田付けを厚膜基板で実現すること。【構成】図1は、厚膜基板1に止め鍔付きのターミナル4を金属ワッシャ5と共に半田付けした模式的断面図である。まず、例えば52アロイのターミナル4を基板裏面の孔から表面へ挿入し、金属ワッシャ5をターミナル4の先端から挿入する。金属ワッシャ5は例えば鉄製で、ターミナル4に近い熱膨張係数を持っている。金属ワッシャ5の表面には、錫メッキもしくは半田メッキ等が予め施されている。半田付けをすると、金属ワッシャ5と厚膜導体2パターンとの間隙に半田が毛細管現象により侵入し、かつ金属ワッシャ5の上にはターミナル4を中心として充分な量の半田フィレット6が形成される。また、ターミナルの鍔4aにも半田が回り込み半田フィレットが形成され、上下の半田フィレットにより、より強固な構造となる。
請求項（抜粋）：
厚膜基板に印刷された厚膜導体パターンに設けられた部品取付け孔に、電子部品のターミナルを貫通させて金属ワッシャと共に半田付けする接続方法において、前記金属ワッシャを、前記厚膜基板の熱膨張係数と前記半田付けに用いる半田材の熱膨張係数との中間の値となる材料で、かつ前記ターミナルの熱膨張係数の値に近い値の材料で構成し、前記金属ワッシャの直径を、半田付けする該厚膜基板のランドの直径よりも小さくし、前記金属ワッシャを、貫通させた前記ターミナルに装着後、半田付け工程を施して、前記金属ワッシャを半田と該基板との間に位置させることを特徴とする厚膜基板とターミナルとの接続方法。
IPC (5件)：
H05K 3/40
, H01R 43/02
, H05K 1/18
, H05K 3/34 505
, H01R 9/09
