特許

J-GLOBAL ID：200903064962016182

樹脂基板の金属膜形成方法および金属膜形成樹脂基板

発明者： 正木 康史 ,  武藤 正英
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291728
公開番号（公開出願番号）：特開2003-094560
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 廃液処理の必要なく短時間の処理で樹脂基板の表面層を除去し、金属膜の密着強度を高く確保することができる樹脂基板の金属膜形成方法を提供する。【解決手段】 樹脂基板1の表面層2をオゾン、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくとも一つで処理することによって除去する。この後、樹脂基板1の表面にメタライズして金属膜3を形成する。脆弱な表面層2を除去した樹脂基板1の表面に金属膜3を形成することができ、脆弱な表面層2が破壊されることによって金属膜3が樹脂基板1から剥離されるようなことがなくなる。

請求項（抜粋）：

樹脂基板の表面層をオゾン、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくとも一つで処理することによって除去し、この後、樹脂基板の表面にメタライズして金属膜を形成することを特徴とする樹脂基板の金属膜形成方法。

IPC (6件)：

B32B 15/08 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/20 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/38

FI (6件)：

B32B 15/08 N ,  C23C 14/02 A ,  C23C 14/20 ,  H05K 1/03 610 H ,  H05K 3/00 W ,  H05K 3/38 A

Fターム (31件)：

4F100AA02 ,  4F100AB01B ,  4F100AG00 ,  4F100AK01A ,  4F100AK80A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100CA23A ,  4F100CA23H ,  4F100EH66 ,  4F100EJ122 ,  4F100EJ132 ,  4F100EJ61A ,  4F100GB43 ,  4F100JL11 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BC00 ,  4K029BD02 ,  4K029BD09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029FA05 ,  5E343AA16 ,  5E343AA37 ,  5E343CC34 ,  5E343EE36 ,  5E343GG02 ,  5E343GG04