特許
J-GLOBAL ID：200903064972163310
半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-322941
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163116
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】CVD装置をエッチングガスによりクリーニングするためにClF3 セルフクリーニングを用いる際、クリーニングの終点検出を正確に行い、クリーニング時間の最適化(短縮化)およびエッチングガスの使用量の低減化を図る。【解決手段】二重チューブ構造の縦型の反応室10と、反応室の温度制御を行うために設けられ、熱電対5の起電力に基づいて反応室内の温度をモニタし、ヒータ4の加熱動作を制御するコントローラ20と、エッチングガス導入口6から導入したエッチングガスを反応室内を流してガス排出口8から排出することにより反応室内部の堆積膜をセルフクリーニングする機構とを具備し、コントローラは、セルフクリーニングする際に実質的に反応室内の温度の変化をモニタすることにより堆積膜のエッチング除去の終点を検出する機能を有する。
請求項（抜粋）：
上端面が閉塞されたアウターチューブおよび前記アウターチューブの内側で縦方向に配設されたインナーチューブとを有し、インナーチューブの内部でボートに搭載される被処理ウェハの成膜処理を行うための二重チューブ構造の縦型の反応室と、前記アウターチューブの外側を囲むように配設され、前記反応室を縦方向に複数個に区分したゾーンをそれぞれ加熱するように設けられヒータと、前記複数個のゾーンの温度を対応してセンスするために複数個設けられた熱電対と、前記複数個のゾーンの温度制御を行うために設けられ、前記複数個の熱電対の起電力に基づいて前記反応室内の温度をモニタし、前記ヒータの加熱動作を制御するコントローラと、前記反応室内における被処理ウェハの成膜処理に際してアウターチューブの内面、インナーチューブの表面およびボートの表面に付着した堆積膜をエッチング除去するためのエッチングガスを前記インナーチューブの下方に導入するために前記反応室の下部に設けられたエッチングガス導入口と、前記アウターチューブとインナーチューブとの間の下方から外部にガスを排出するために前記反応室の下部に設けられたガス排出口とを具備し、前記コントローラは、さらに、前記エッチングガス導入口から導入されたエッチングガスが前記反応室内を流れて前記ガス排出口から排出される過程において、実質的に前記反応室内の温度の変化をモニタすることにより前記堆積膜のエッチング除去の終点を検出する機能を有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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