特許

J-GLOBAL ID：200903064974012085

半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040089
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223909
出願日： 1997年02月08日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタのしきい値を制御した構成を提供する。【解決手段】 ゲイト電極105を構成する材料と異なる仕事関数を有する導電膜106を形成することで、しきい値を制御する。例えば、ゲイト電極105にアルミニウムを利用し、導電膜106にアルミニウムより仕事関数の値が大きいW膜を利用することにより、W膜を設けない場合に比較して、しきい値をプラス側にシフトさせることができる。

請求項（抜粋）：

ゲイト電極とゲイト絶縁膜との間にゲイト電極を構成する材料とは異なる仕事関数を有する材料が形成されており、前記ゲイト電極の仕事関数の値と前記材料の仕事関数の値との違いによって、しきい値が制御されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 301 G