特許
J-GLOBAL ID：200903064976481066
テラヘルツ電磁波発生装置及び発生方法並びに基体
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-342677
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156575
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】従来よりも、より高強度のテラヘルツ電磁波を発生させることが可能なテラヘルツ電磁波発生装置及び発生方法を提供すること。レーザー光源として、例えば、チタンサファイアレーザーなどの容易に入手可能なレーザー光源を用いることができるテラヘルツ電磁波発生装置及び発生方法を提供すること。【解決手段】酸化亜鉛からなる基板(基体)(1)と、基板(1)上に対向して設けられた電極(2)、(3)と、電極(2)、(3)間にバイアス電圧を印加するための手段(4)と、電極(2)、(3)間に光(5)を入射するための手段と、を有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化亜鉛からなる基体と、該基体上に対向して設けられた電極と、該電極間にバイアス電圧を印加するための手段と、該電極間に光を入射するための手段と、を有することを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
前のページに戻る
