特許

J-GLOBAL ID：200903064978348134

高耐圧トランジスタ及びその製造方法

発明者： 山田 真
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-195433
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030107
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 空乏層を伸び易くして、ドレイン耐圧を高めると共に、チャネル-ドレイン間の抵抗を低くして、電流能力も高める。【構成】 ドレイン部であるP+ 型の不純物層17をP- 型の不純物層22が覆っており、この不純物層22をP--型の不純物層26が覆っているので、不純物層26において空乏層が伸び易い。しかも、P- 型の不純物層22はドレイン部である不純物層17とチャネル部との間にも延在しているので、チャネル-ドレイン間の抵抗が低い。

請求項（抜粋）：

ドレイン部と同一導電型でこのドレイン部よりも低濃度の第1の不純物層が、前記ドレイン部を覆うと共にこのドレイン部とチャネル部との間に延在しており、前記第1の不純物層と同一導電型でこの第1の不純物層よりも低濃度の第2の不純物層が、前記第1の不純物層を覆っている高耐圧トランジスタ。