特許
J-GLOBAL ID:200903064982767494

光メモリ素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-261940
公開番号(公開出願番号):特開2000-090489
出願日: 1998年09月16日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】 励起光を照射するとフォトルミネッセンス強度(以下「発光強度」と称する)が増加する現象と、光照射せずに暗所にて長時間保存した後再び光照射すると保存前の発光強度を示す、つまり記憶しているという発光性微粒子の集合体の機能を利用した光メモリ素子であって、発光強度の増加率並びに記憶及び保持時間が飛躍的に増大した光メモリ素子を提供する。【解決手段】 発光強度を励起光の照射時間もしくは照射量の関数として増加あるいは増加及び記憶させることができる機能を有する発光性微粒子の集合体を有する光メモリ素子であって、発光性微粒子の集合体の少なくとも一部が絶縁性材料からなる保護層を有する光メモリ素子。
請求項(抜粋):
フォトルミネッセンス強度(以下「発光強度」と称する)を励起光の照射時間もしくは照射量の関数として増加あるいは増加及び記憶させることができる機能を有する発光性微粒子の集合体を有する光メモリ素子であって、発光性微粒子の集合体の少なくとも一部が絶縁性材料からなる保護層を有することを特徴とする光メモリ素子。
IPC (2件):
G11B 7/24 522 ,  G03C 1/72
FI (2件):
G11B 7/24 522 Z ,  G03C 1/72
Fターム (11件):
2H123AA00 ,  2H123AA30 ,  2H123AA50 ,  2H123BA00 ,  2H123BA01 ,  2H123BA41 ,  2H123BA49 ,  2H123BB06 ,  2H123CA22 ,  2H123EA08 ,  5D029JB17

前のページに戻る