特許

J-GLOBAL ID：200903064990987487

半導体集積回路装置

発明者： 川村 昌靖 ,  岩井 秀俊 ,  小松崎 勝雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190891
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022516
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 高速動作化と高集積化とを実現した半導体集積回路装置を提供する。【構成】 チャンネル長が短くされ、又はチャンネル幅が長くされてなるようなMOSFETのゲート電極に沿ってその上部に絶縁膜を介して金属配線層を形成して、上記ゲート電極の少なくとも両端側から入力信号を供給する。【効果】 ゲート電極上に入力信号用の金属配線が形成されるから、レイアウト面積を増大させることなく高速化が可能になる。

請求項（抜粋）：

チャンネル長が短くされ、又はチャンネル幅が長くされてなるMOSFETを備え、かかるMOSFETのゲート電極に沿ってその上部に絶縁膜を介して金属配線層を形成して、上記ゲート電極の少なくとも両端側から入力信号を供給することを特徴とする半導体集積回路装置

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/08 102 D ,  H01L 21/82 W ,  H01L 27/10 325 P