特許

J-GLOBAL ID：200903064991190795

微細パターン形成法

発明者： 生津 英夫 ,  栗原 健ニ ,  永瀬 雅夫 ,  岩立 和巳 ,  村瀬 克実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-083953
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273083
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の表面側に、エッチング処理によって、微細な幅とその幅に比し十分長い高さとを有する凸条の複数が並置配列されている凸条列を、微細パターンとして形成する工程と、その工程後、半導体基板に対し水洗処理を施す工程と、その工程後、半導体基板に対し乾燥処理を施す工程とを有する微細パターン形成法において、半導体基板の表面側に、微細パターンとしての凸条列を、その凸条に倒れを生ぜしめるおそれなしに形成することができるようにする。【構成】 半導体基板の表面側に微細パターンを形成する工程後、半導体基板に対する水洗処理を施す工程前において、微細パターンとしての上記凸条列に対し、疎水性化処理を施し、または半導体基板を、水洗処理の工程後、乾燥処理の工程前において、有機溶媒中に浸漬させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を用意する工程と、上記半導体基板に対するマスクを用いたエッチング処理によって、上記半導体基板の表面側に、微細な幅とその幅に比し十分長い高さとを有する凸条の複数が並置配列されている凸条列を、微細パターンとして形成する工程と、上記半導体基板の表面側に上記微細パターンを形成する工程後、上記半導体基板に対し、水洗処理を施す工程と、上記上記半導体基板に対する上記水洗処理を施す工程後、上記半導体基板に対し、乾燥処理を施す工程とを有する微細パターン形成法において、上記半導体基板の表面側に微細パターンを形成する工程後、上記半導体基板に対する水洗処理を施す工程前において、上記微細パターンとしての上記凸条列に対し、疎水性化処理を施す工程を有することを特徴とする微細パターン形成法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 351 ,  H01L 21/308