特許

J-GLOBAL ID：200903064991577762

パターン形成方法

発明者： 真田 達行 ,  中神 好正
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286503
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140296
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 パターン形成方法に関し,リソグラフィ工程数を減らし,被エッチング膜の膜厚が変動してもサイドエッチ量の変動を抑制することを目的とする。【構成】 1)レジスト膜をマスクにして膜厚の異なる箇所に同時に窓開けを行う際に, 膜厚の薄い箇所の窓開けがなされた後, 熱処理によりこの窓をレジストで覆い, 続いてエッチングを行い膜厚の厚い箇所の窓開けを行う,2)ポジ感光性とネガ感光性の両方を有するレジストを塗布し,近紫外線露光と該露光部の一部に遠紫外線露光とを行い,現像して遠紫外線露光部の開口にレジスト残膜を残し,残膜上の被膜をリフトオフする,3)上記レジストを塗布し,近紫外線露光を行い現像してレジストパターンを形成し,全面に近紫外線露光と遠紫外線露光とを行い再度現像を行う,4)前記残膜を残したレジストパターンをマスクにして下地膜をエッチングし,残膜を除去して再度エッチングするように構成する。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト膜をマスクにしたエッチングにより, 被エッチング膜の膜厚の異なる箇所に同時に窓開けを行う際に, 該被エッチング膜の膜厚の薄い箇所の窓開けがなされた後, 熱処理により膜厚の薄い箇所の窓を該レジストで覆い, 続いてエッチングを行い該被エッチング膜の膜厚の厚い箇所の窓開けを行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/38

FI (3件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 K