特許
J-GLOBAL ID：200903064994236826

半導体装置及びその製造方法

発明者：
保原 大介

保原 大介 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-285665
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100618
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 微粒子とこの微粒子に結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、その導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置及びその製造方法であって、デバイス構造を工夫することによって性能が向上した半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 金などの微粒子10と、この微粒子に結合した有機半導体分子13との結合体を電極2の上に層状に形成し、電極2の反対側の結合体層の面上に電極6を設け、電極2と電極6との間の結合体層の膜厚方向に形成された導電路の導電性を、ゲート電極4を通じて制御する縦型電界効果トランジスタを形成する。上記結合体層では微粒子10と有機半導体分子13とが交互に結合したネットワーク型の導電路が形成される。この導電路では、有機半導体分子内の導電路が微粒子内の導電路によって連結され、有機半導体分子内の移動度を最大限に利用することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導体又は半導体からなる微粒子と、この微粒子に結合した有機半導体分子との結合体が第1電極に接して層状に形成され、前記第1電極とは反対側の前記結合体層の面上に第2電極が設けられ、かつ、前記結合体層を介して前記第1電極と前記第2電極との間に形成された導電路の導電性が、電界によって制御されるように構成された、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 626A
Fターム (57件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF01 ,  4M104FF27 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE22 ,  5F110EE29 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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