特許

J-GLOBAL ID：200903064994994410

マイクロデバイスの電極形成方法

発明者： 小野 敏明
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082524
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273295
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 小型・薄型のマイクロデバイスの作製において、素子を個々に分割せずに基板状態で電極形成を行う方法を供する。【構成】 外部電極が形成されるべきシリコン基板1の部分にスルーホール2を形成し、薄膜パターン3の電極取り出し部が前述のスルーホールに接するように薄膜パターンを形成し、このスルーホール2に外部電極用の金属を充填して金属層7を形成し、基板両面が導通するようにし、このシリコン基板1を外部電極が外部に露出するように切断する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にインダクタ、フィルタ、キャパシタンス等の薄膜パターンを形成したマイクロデバイスチップに外部電極を形成する方法であって、前記シリコン基板の特定部分にスルーホールを形成し、前記薄膜パターンの電極取り出し部を前記スルーホールに接するように形成し、このスルーホールに外部電極用の金属を充填し、この外部電極用の金属部分がデバイス側に残り露出するようにスルーホール部を切断して外部電極を形成することを特徴とする電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 27/04 E ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-028335