特許

J-GLOBAL ID：200903064996830741

マスクROM装置及びその製造方法

発明者： 竹内 信善
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社 ,  旺宏電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338749
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236646
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【課題】 プロセスステップの増加なしに自然に冗長回路を形成でき、コストアップを生ぜずに歩留まりを上げることができるマスクROM装置及びその製造方法を提供するにある。【解決手段】 MOS構造のセル部10及びMNOS構造の冗長セル部12が酸化膜層26を共通として同一半導体基板に形成されている。冗長セル部12は、素子分離工程で用いたシリコン窒化膜及びパッド酸化膜のスタック構造を転用して形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板にMOS構造を有するメモリセルによるアレイが形成され、各メモリセルがプログラムされているメモリセル部と、前記半導体基板上にMNOS構造を有する冗長セル群が形成されている冗長部とを具備し、前記MOS構造及びMNOS構造のゲート酸化膜の厚さがほぼ等しいことを特徴とするマスクROM装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 21/94 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-238661
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-021772   出願人：株式会社日立製作所