特許

J-GLOBAL ID：200903064998802540

コルビーノ構造を用いた非磁性磁気抵抗効果型再生ヘッド

発明者： スチュワート エイ.ソーリン ,  ネド エス.ウィングリーン
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287606
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241505
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】 微細で、近接して配置された磁気パターンを読み出すことができる再生ヘッドを提供すること。【解決手段】 記憶装置内のトラック24に沿った一連の磁気領域として記憶された磁気パターンを読み取るための非磁性磁気抵抗再生ヘッドであって、インジウムアンチモンあるいは水銀カドミウムテルルのような高い電子移動度を示す非磁性半導体ウェハをセンサとして用いる。この半導体ウェハは、ストライプ状の内部電極26Aと、この内部電極を囲む矩形の外部電極26Bからなる電極構造を備えている。このウェハは、このウェハの平面がディスク22に平行で、かつ、感知されるべき磁界に対して垂直となるように支持されている。

請求項（抜粋）：

記憶装置内のトラックに沿った一連の磁気領域として記憶された磁気パターンを読み取るための非磁性磁気抵抗ヘッドであって、動作可能な室温で高い電子移動度を示し、少なくも1個の実質的に平坦な面を有する材料からなる非磁性半導体ウェハと、前記半導体ウェハの平坦な面上に設けられた内部電極及びこの内部電極を囲む外部電極からなる電極手段と、前記半導体ウェハの平坦な面が記憶媒体の磁気パターンに間隔をおいて隣接配置されるように前記半導体ウェハの平坦な面を支持する手段とを備え、この支持手段は、前記磁気パターンが走査されたとき、前記磁気パターンの磁気領域の極性方向の反転に関連する外部磁界が前記半導体ウェハをその平坦な面に対して実質的に垂直な方向に横切るように支持することを特徴とする非磁性磁気抵抗ヘッド。