特許

J-GLOBAL ID：200903064999317476

フオトレジスト

発明者： レカイ ゼチ ,  ライナー ロイシユナー ,  ホルスト ボルンデルフアー ,  ミヒアエル ゼバルト ,  ジークフリート ビルクレ ,  ヘルムート アーネ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353047
公開番号（公開出願番号）：特開平5-011450
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 二層法で寸法通りの構造物転移をまた解像限度を越える構造物(溝又は孔)の製造を可能とし、高い透過性を有し、UV線、電子線及びX線に対して敏感であり、高い感度(DUV領域で)並びにサブミクロン範囲でも高い解像能を有するフォトレジストを提供する。【構成】 無水カルボン酸官能基及びカルボン酸-第3ブチルエステル基を有するポリマー成分と、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を含む。

請求項（抜粋）：

サブミクロン範囲の構造物を製造するためのフォトレジストにおいて、無水カルボン酸官能基及びカルボン酸-第3ブチルエステル基を有するポリマ-成分、露光時に酸を遊離する光開始剤及び適当な溶剤を含んでいることを特徴とするフォトレジスト。

IPC (7件)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-103049
  
• 特開平2-267558
  
• 特開平2-282746
  
• 特開平3-223863