特許
J-GLOBAL ID:200903065001132750

磁性発振素子、磁気センサおよび磁気再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-332940
公開番号(公開出願番号):特開2007-142746
出願日: 2005年11月17日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】素子それ自体がマイクロ波の発振源としての機能を有し、電流誘起の磁化の非平衡定常状態を活かして信号磁場を検出することで熱ゆらぎによるS/N比低下を避けることができる磁性発振素子を提供する。【解決手段】第1の強磁性層を含み、第1の磁気共鳴周波数f1を有する第1の磁気共鳴層と、第2の強磁性層を含み、f1以上の大きさの第2の磁気共鳴周波数f2を有する第2の磁気共鳴層と、前記第1および第2の磁気共鳴層間に形成された非磁性中間層と、前記第1および第2の磁気共鳴層の膜面に垂直に、前記第2の磁気共鳴層から前記第1の磁気共鳴層の方向へ電流を通電する手段とを有し、前記第2と第1の磁気共鳴周波数の差(f2-f1)が、第1の磁気共鳴層が有する磁気共鳴線幅の半分よりも小さい磁性発振素子。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の強磁性層を含み、第1の磁気共鳴周波数f1を有する第1の磁気共鳴層と、 第2の強磁性層を含み、f1以上の大きさの第2の磁気共鳴周波数f2を有する第2の磁気共鳴層と、 前記第1および第2の磁気共鳴層間に形成された非磁性中間層と、 前記第1および第2の磁気共鳴層の膜面に垂直に、前記第2の磁気共鳴層から前記第1の磁気共鳴層の方向へ電流を通電する手段とを有し、 前記第2と第1の磁気共鳴周波数の差(f2-f1)が、第1の磁気共鳴層が有する磁気共鳴線幅の半分よりも小さいことを特徴とする磁性発振素子。
IPC (5件):
H03B 15/00 ,  H01L 29/82 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/02 ,  H01L 43/08
FI (5件):
H03B15/00 ,  H01L29/82 Z ,  G11B5/39 ,  G01R33/02 A ,  H01L43/08 Z
Fターム (6件):
2G017AA01 ,  2G017AA13 ,  2G017AD27 ,  2G017AD69 ,  2G017CC03 ,  5D034CA04
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5,695,864号明細書

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